北京大学研制成功10nm碳纳米管CMOS器件

　　近日，在市科委先导与优势材料创新发展专项支持下，北京大学彭练矛教授团队在全世界范围内首次成功研制出10纳米碳纳米管CMOS器件，与同尺寸硅基器件相比，该器件速度是其5倍，而功耗仅为1/5，并在世界上首次成功制备出含有100个晶体管的碳纳米管集成电路。课题的研究成果表明在10纳米以下技术节点，碳纳米管CMOS器件相对于硅基CMOS器件具有巨大优势，这将大大增强研究机构和芯片公司对碳纳米管电子学的信心，为2020年之后的集成电路技术的发展和选择奠定重要基础。

　　下一步，该团队将继续优化碳纳米管CMOS器件制备工艺，建立标准的碳基CMOS器件技术加工平台，并基于该平台开发碳纳米管CPU，最终推动碳基集成电路在下一代通用芯片和消费电子等领域的应用。（）